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快讯：郝跃教授当选中国科学院院士

中国科学院网站12月19日公布了中国科学院2013年当选院士名单，西安电子科技大学郝跃教授当选。

　　链接：http://www.cas.cn/ggfw/tzgg_1/201312/t20131219_4001377.shtml

　　郝跃，汉族，安徽阜阳人，1958年出生，博士，教授，博士生导师。1982年毕业于西北电讯工程学院（现西安电子科技大学）技术物理系半导体物理与器件专业，1985年获得硕士学位，1991年于西安交通大学获博士学位。是西安电子科技大学副校长，IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表，入选国家首批“百千万人才工程”，陕西省“三五”人才程首批入选者；现为中国人民解放军总装备部科学技术委员会兼职委员，中国人民解放军总装备部军用微电子技术专业组组长，安博电子官方网站部电子信息科学与工程类专业指导分委员会副主任委员；还担任国家“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”重大科技专项总体组副组长，以及“核心电子器件”重大科技专项实施组组长。

　　郝跃教授长期从事微电子技术科研与教学工作，主要方向为第三代半导体材料和器件、微米纳米半导体器件与可靠性研究。他系统研究了GaN电子材料生长中缺陷形成的机理，基于自主方法，建立了2英寸、3至4英寸及6英寸三代自主国产化MOCVD系统和低缺陷材料生长工艺技术，研制出国际先进水平的GaN电子材料，在国内外得到应用和好评。其设备与材料技术已经得到产业化推广和应用。在高性能GaN基微波毫米波功率器件研制方面，结合自主提出的无应变背势垒和槽栅浮空场板等新型结构，研制出高性能GaN微波毫米波功率器件，得到国内外高度评价。同时自主建立了GaN微波毫米波功率器件的成套国产化工艺，研制成功的器件已在重点工程中得到试用。他研制成功了4GHz频率下功率附加效率高达73%的MOS-HEMT微波功率器件，这一成果被国际同行评价“为高频大功率系统应用指明了方向”，并被认为是近十年里国际GaN HEMT器件领域三方面标志性成果之一。他先后对硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等三代半导体器件开展退化与失效机理研究，提出并建立自对准槽栅半导体器件结构与制造工艺，对半导体器件的抗热载流子退化、抗辐照加固等问题取得了卓有成效的研究成果。

　　他以第一完成人获2009年国家技术发明二等奖、1998年国家科技进步三等奖及2010 年“何梁何利”基金科学与技术进步奖。另获国家科技进步二奖1项（排名第五），省部级一、二等奖10余项。在国内外发表的论文有168篇被SCI收录、被引用601次，出版专著3部，获国家发明专利授权57件。培养博士39名，硕士100余名。他是国家安全重大基础研究（973）计划首席科学家，其科研团队被评为08年国防科技创新团队。

　　郝跃教授近20年来一直从事宽禁带半导体高功率微波电子学领域的开拓研究，在高质量材料生长、器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性、稳定性的研究中取得了一系列重要的创新性成果，在国内外同行中有重要影响，对开创我国宽禁带半导体材料、器件和高功率微波电子学研究做出了系统性、创造性的重要贡献。

2013年新当选中国科学院院士名单

（共53人，分学部以姓氏笔画为序）

数学物理学部（9人）

化学部（9人）

生命科学和医学学部（9人）

地学部（10人）

信息技术科学部（7人）

技术科学部（9人）

来源：西电新闻网